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何京良
性别:男
在职信息:在职

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在职信息:在职 所在单位:晶体材料研究院 入职时间:2005-10-27

Diode-pumped high-peak-power femtosecond Yb+3:(Gd0.1Y0.9)(2)SiO5 laser at 1058.5 nm

点击次数: 所属单位:信息科学与工程学院 发表刊物:APPLIED PHYSICS EXPRESS 全部作者:杨克建,赵圣之,李涛,乔文超,张百涛,何京良 第一作者:王燕档 论文类型:基础研究 论文编号:6B16E950100D465CB4CC59B174F12C91 卷号: 10 期号:9 是否译文: 发表时间:2017-09-01