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个人信息
何京良
性别:男
在职信息:在职

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在职信息:在职 所在单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室) 入职时间:2005-10-27 所属院系: 晶体材料研究院

论文成果

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Diode-pumped high-peak-power femtosecond Yb+3:(Gd0.1Y0.9)(2)SiO5 laser at 1058.5 nm

发布时间:2019-04-14 点击次数:

所属单位:信息科学与工程学院

论文名称:Diode-pumped high-peak-power femtosecond Yb+3:(Gd0.1Y0.9)(2)SiO5 laser at 1058.5 nm

发表刊物:APPLIED PHYSICS EXPRESS

第一作者:王燕档

全部作者:赵圣之,李涛,乔文超,张百涛,何京良,杨克建

论文类型:基础研究

论文编号:6B16E950100D465CB4CC59B174F12C91

卷号: 10

期号:9

是否译文:

发表时间:2017-09

发布时间:2019-04-14

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