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何京良
性别:男
在职信息:在职
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在职信息:在职
所在单位:晶体材料研究院
入职时间:2005-10-27
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论文成果
Diode-pumped passively mode-locked Nd:GGG laser at 1331.3 nm
点击次数:
所属单位:
晶体材料研究所
发表刊物:
laser physics letters
全部作者:
何京良,张百涛
第一作者:
贾志泰
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-147619
是否译文:
否
发表时间:
2012-03-27
上一条:
Preparation of 2D MoS2/Graphene Heterostructure through a Monolayer Intercalation Method and its Application as an Optical Modulator in Pulsed Laser Generation
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Continuous-wave and passively Q-switched laser performance of Nd:(LaxGd1-x)(3)Ga5O12 crystal at 1062 nm