个人信息
何京良
性别:男
在职信息:在职

个人信息 Personal information

在职信息:在职 所在单位:晶体材料研究院 入职时间:2005-10-27

Diode-end-pumped passively Q-switched 1.33μm Nd:Gd3AlxGa5-xO12 laser with V3+:YAG saturable absorber

点击次数: 所属单位:晶体材料研究所 发表刊物:Optics Express 全部作者:何京良 第一作者:张百涛 论文类型:基础研究 论文编号:lw-169669 是否译文: 发表时间:2010-06-07