个人信息
何京良
性别:男
在职信息:在职

个人信息 Personal information

在职信息:在职 所在单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室) 入职时间:2005-10-27 所属院系: 晶体材料研究院

论文成果

中文主页 - 科学研究 - 论文成果

Diode-end-pumped passively Q-switched 1.34μm Nd:Gd0.5Y0.5VO4 laser with Co2+:LMA saturable absorber

发布时间:2019-10-22 点击次数:

所属单位:晶体材料研究所

论文名称:Diode-end-pumped passively Q-switched 1.34μm Nd:Gd0.5Y0.5VO4 laser with Co2+:LMA saturable absorber

发表刊物:Optical Materials

第一作者:张百涛

全部作者:何京良

论文类型:基础研究

论文编号:lw-169681

是否译文:

发表时间:2009-09

发布时间:2019-10-22

上一条:Crystal growth and thermal properties of the laser crystal Yb3+:Gd3(AlxGa1 x)5O12

下一条:Third-order nonlinearity and saturable absorbed performance of Cr4+:Gd3Ga5O12 crystal