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个人信息
何京良
性别:男
在职信息:在职

个人信息 Personal information

在职信息:在职 所在单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室) 入职时间:2005-10-27 所属院系: 晶体材料研究院

论文成果

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Diode-pumped passively Q-switched Nd:(LuxGd1-x)3Ga5O12 laser at 1330 nm with V3+:YAG as saturable absorber

发布时间:2019-10-24 点击次数:

所属单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)

论文名称:Diode-pumped passively Q-switched Nd:(LuxGd1-x)3Ga5O12 laser at 1330 nm with V3+:YAG as saturable absorber

发表刊物:IEEE Photonics Technology Letters

第一作者:何京良

全部作者:刘凤芹,何京良

论文编号:lw-136120

卷号:24

页面范围:146

是否译文:

发表时间:2012-06

发布时间:2019-10-24

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