个人信息 Personal information
在职信息：在职
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
入职时间：2005-10-27
所属院系：
晶体材料研究院
发布时间：2019-10-24 点击次数：
所属单位：晶体材料研究院
论文名称：Development of longer Nd:LGGG crystal for high power laser application
发表刊物：Journal of crystal growth
第一作者：尹延如
全部作者：陶绪堂,张健,张百涛,贾志泰,何京良,尹延如
论文类型：应用研究
论文编号：854307BCEA6C46D18D063BEFD71BEFD8
卷号： 478
页面范围：28
是否译文：否
发表时间：2017-11
发布时间：2019-10-24