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个人信息
何京良
性别:男
在职信息:在职

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在职信息:在职 所在单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室) 入职时间:2005-10-27 所属院系: 晶体材料研究院

论文成果

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Diode End Pumped Continuous Wave and Graphene Q-Switched Tm:LGGG Lasers

发布时间:2019-10-25 点击次数:

所属单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)

论文名称:Diode End Pumped Continuous Wave and Graphene Q-Switched Tm:LGGG Lasers

发表刊物:IEEE Photonics Technology Letters

第一作者:侯佳

全部作者:贾志泰,张百涛,何京良,陶绪堂

论文编号:CDDD994D1412484EBDE32E98B88EB68D

字数:1500

是否译文:

发表时间:2015-11

发布时间:2019-10-25

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