何京良山东大学主页平台管理系统--中文主页

Graphene Q-ACSwitched Cr: ZnSe Laser

点击次数： 所属单位：晶体材料研究院 发表刊物：IEEE Journal of Quantum Electronics 第一作者：张百涛 论文编号：4FBC1BEA421647DC927180971380890A 期号：5 是否译文：否 发表时间：2015-05-05

上一条：Nanosecond-pulsed, dual-wavelength, passively Q-switched ytterbium-doped bulk laser based on few-layer MoS 2 saturable absorber 下一条：Room temperature watt-level 3.87 mu m MgO:PPLN optical parametric oscillator under pumping with a Tm:YAP laser

首页

科学研究

教学研究

获奖信息

招生信息

学生信息

我的相册

教师博客

更多

个人信息 Personal information

论文成果

Graphene Q-ACSwitched Cr: ZnSe Laser