个人信息 Personal information
在职信息：在职
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
入职时间：2005-10-27
所属院系：
晶体材料研究院
发布时间：2022-12-09 点击次数：
所属单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
论文名称：Passively Q-Switched Nd:GdVO4 1.3 μm Laser with Few-Layered Black Phosphorus Saturable Absorber
发表刊物：IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
关键字：Black Phosphorus;Phosphorus;Pumping (laser);Q switching;Saturable absorbers;Black phosphorus;1.3 mu m;Short pulses
第一作者：孙晓莉
论文编号：1395293148996964353
卷号：24
期号：5
字数：4
是否译文：否
发表时间：2018-09
发布时间：2022-12-09