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何京良
性别:男
在职信息:在职

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在职信息:在职 所在单位:晶体材料研究院 入职时间:2005-10-27

Passively Q-Switched Nd:GdVO4 1.3 μm Laser with Few-Layered Black Phosphorus Saturable Absorber

点击次数: 所属单位:晶体材料研究院 发表刊物:IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 关键字:Black Phosphorus;Phosphorus;Pumping (laser);Q switching;Saturable absorbers;Black phosphorus;1.3 mu m;Short pulses 第一作者:孙晓莉 论文编号:1395293148996964353 卷号:24 期号:5 字数:4 是否译文: 发表时间:2018-09-01