Growth and efficient laser emission of Er3+ doped LGGG single crystal at 2.8 μm
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所属单位：新一代半导体材料研究院
发表刊物：Infrared Physics & Technology
第一作者：张京坤
论文编号：1AF686D126A84E3C806B7CAA1011D870
期号：136
字数：5
是否译文：否
发表时间：2023-12-09