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所在单位:晶体材料研究院
入职时间:2005-10-27
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Ta_2NiSe_5纳米片作为一种新型的宽带可饱和吸收体用于全固态脉冲激光的产生(英文)
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所属单位:
新一代半导体材料研究院
发表刊物:
SCIENCE CHINA-MATERIALS
第一作者:
颜秉政
论文编号:
1565631413984460802
卷号:
64
期号:
06
页面范围:
1468-1476
字数:
6200
是否译文:
否
发表时间:
2021-01-13
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