Growth and efficient laser emission of Er3+doped LGGG single crystal at 2.8 μm
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所属单位：新一代半导体材料研究院
发表刊物：Infrared Physics and Technology
第一作者：张京坤
论文编号：2A5EF613F4FA47F28A04FDE6DE3698F0
期号：136
字数：5
是否译文：否
发表时间：2024-01-19