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个人信息
何京良
性别:男
在职信息:在职

个人信息 Personal information

在职信息:在职 所在单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室) 入职时间:2005-10-27 所属院系: 晶体材料研究院

专利

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二维层状GeP单晶纳米薄膜的制备方法及应用

发布时间:2021-10-01 点击次数:

专利名称:二维层状GeP单晶纳米薄膜的制备方法及应用

所属单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)

专利类型:发明

申请号:201910826293.1

发明人数:4

是否职务专利:

公开日期:2021-09-28

授权日期:2021-09-28

发布时间:2021-10-01

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