二维层状GeP单晶纳米薄膜的制备方法及应用
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所属单位：晶体材料研究院
专利类型：发明
申请号：201910826293.1
发明人数：4
是否职务专利：否
公开日期：2021-09-28
授权日期：2021-09-28
个人信息 Personal information
在职信息：在职
所在单位：晶体材料研究院
入职时间：2005-10-27