Mott-like Transitions, and Ion Size Effects in C60 Single Crystal Electric Double Layer Transistors.
点击次数：
所属单位：晶体材料研究院
发表刊物：ACS nano
第一作者：何涛
论文编号：6FAE55259ACF4199BDA97045B492DA88
期号：16
页面范围：4823
字数：3500
是否译文：否
发表时间：2022-03-04
发表时间：2022-03-04
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士后)
学位：工学博士学位
在职信息：在职
所在单位：晶体材料研究所
入职时间：2019-12-20
电子邮箱：the@sdu.edu.cn
Mott-like Transitions, and Ion Size Effects in C60 Single Crystal Electric Double Layer Transistors.
点击次数：
所属单位：晶体材料研究院
发表刊物：ACS nano
第一作者：何涛
论文编号：6FAE55259ACF4199BDA97045B492DA88
期号：16
页面范围：4823
字数：3500
是否译文：否
发表时间：2022-03-04
发表时间：2022-03-04