An Amorphous Native Oxide Shell for High Bias-Stress Stability Nanowire Synaptic Transistor
点击次数：
所属单位：物理学院
发表刊物：ADVANCED SCIENCE
第一作者：庄昕明
论文编号：ED76840B60DC4AAF95430860170FD13E
字数：5000
是否译文：否
发表时间：2023-10-11
发表时间：2023-10-11
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士后)
学位：工学博士学位
在职信息：在职
所在单位：晶体材料研究所
入职时间：2019-12-20
电子邮箱：the@sdu.edu.cn
An Amorphous Native Oxide Shell for High Bias-Stress Stability Nanowire Synaptic Transistor
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所属单位：物理学院
发表刊物：ADVANCED SCIENCE
第一作者：庄昕明
论文编号：ED76840B60DC4AAF95430860170FD13E
字数：5000
是否译文：否
发表时间：2023-10-11
发表时间：2023-10-11