基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法及应用
点击次数:
所属单位:晶体材料研究院
专利类型:发明
申请号:202010377063.4
发明人数:1
是否职务专利:否
申请日期:2020-05-07
公开日期:2021-11-19
授权日期:2021-11-19
公开日期:2021-11-19
申请日期:2020-05-07
授权日期:2021-11-19
基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法及应用
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所属单位:晶体材料研究院
专利类型:发明
申请号:202010377063.4
发明人数:1
是否职务专利:否
申请日期:2020-05-07
公开日期:2021-11-19
授权日期:2021-11-19
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申请日期:2020-05-07
授权日期:2021-11-19