基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法及应用
发布时间:2021-11-12 点击数:
专利名称:基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法及应用
所属单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)
专利类型:发明
申请号:202010377063.4
发明人数:1
是否职务专利:否
申请日期:2020-05-07
公开日期:2021-11-19
授权日期:2021-11-19
专利名称:基于n-型有机半导体晶体表面台阶缺陷的修复方法及应用
所属单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)
专利类型:发明
申请号:202010377063.4
发明人数:1
是否职务专利:否
申请日期:2020-05-07
公开日期:2021-11-19
授权日期:2021-11-19