Facet-Engineered Atomic Interface and On-Chip Continuous-Amplitude Modulated Recovery Enabling Ultra-High Endurance for Hafnium-based Ferroelectric Memories
发布时间：2025-12-02
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 论文名称：
- Facet-Engineered Atomic Interface and On-Chip Continuous-Amplitude Modulated Recovery Enabling Ultra-High Endurance for Hafnium-based Ferroelectric Memories
- 发表刊物：
- ACS Nano
- 论文编号：
- 11F75586F7D747B88F32168400639375
- 卷号：
- 19
- 期号：
- 30
- 页面范围：
- 27192
- 字数：
- 8000
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2025-07
- 发布时间：
- 2025-12-02