个人信息
胡强强
性别:男
在职信息:不在职

个人信息 Personal information

在职信息:不在职 所在单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室) 入职时间:2017-07-03 所属院系: 晶体材料研究院

论文成果

中文主页 - 科学研究 - 论文成果

Ti-Doped beta-Ga2O3: A Promising Material for Ultrafast and Tunable Lasers

发布时间:2019-04-14 点击次数:

所属单位:晶体材料研究所

论文名称:Ti-Doped beta-Ga2O3: A Promising Material for Ultrafast and Tunable Lasers

发表刊物:Crystal growth & Design

第一作者:穆文祥

全部作者:陶绪堂,贾志泰,尹延如,胡强强,李阳,张健

论文类型:基础研究

论文编号:47CBE721CDF2490E80EB5FC3CDF27DAF

卷号:18

期号:5

页面范围:3037

是否译文:

发表时间:2018-05

发布时间:2019-04-14

上一条:Bulk growth and an efficient mid-IR laser of high-quality Er:YSGG crystals

下一条:Optimizing growth, structure, and elastic-electrical properties of acentric melilite CaYAl3O7 crystal