扫描手机二维码
开通时间:..
最后更新时间:..
个人主页 http://faculty.sdu.edu.cn/hushujun/zh_CN/index.htm
点击次数: 所属单位:物理学院 发表刊物:Chemistry of Materials 全部作者:梅良模,胡树军,陈延学,颜世申,刘国磊 第一作者:曹强 论文类型:基础研究 论文编号:4C1EA652676C484B8A05EBE0A2EEF42B 卷号: 29 期号:7 页面范围:2717 是否译文:否 发表时间:2017-04-11
上一条: Anchoring transition metal elements on graphene-like ZnO monolayer by CO molecule to obtain spin gapless semiconductor
下一条: Unconventional band inversion and intrinsic quantum spin Hall effect in functionalized group-V binary films