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计峰
副教授
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论文成果
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Structural and photoluminescence properties of SnO2:Ga films deposited on α-Al2O3 (0 0 0 1) by MOCVD
所属单位：
物理学院
发表刊物：
Journal of Luminescence
全部作者：
计峰
第一作者：
计峰
论文编号：
lw-106671
卷号：
130
期号：
0
页面范围：
1189
字数：
1500
是否译文：
否
发表时间：
2010-02-22
上一条：
Effects of reagent’s rotational and vibrational excitations on reaction O(3P) + H2(v = 0; 3, j = 0; 3; 5; 7; 9; 12; 15) --> OH + H
下一条：
Effects of antimony-doped on the photoluminescence and structural properties for SnO<inf>2</inf> films
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