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孔祥山

副研究员

性别：男

在职信息：在职

所在单位：材料科学与工程学院

入职时间：2019-11-29

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Atomistic Mechanisms and Temperature-Dependent Criteria of Trap Mutation in Vacancy–Helium Clusters in Tungsten

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所属单位：材料科学与工程学院

发表刊物：MATERIALS

第一作者：孔祥山

论文编号：F963B6A2EB6D4AD2A4A5F8BF45565BDE

卷号：18

期号：15

字数：5000

是否译文：否

发表时间：2025-07-27

上一条： Atomic-Scale Mechanisms of Stacking Fault Tetrahedra Formation, Growth, and Transformation in Aluminum via Vacancy Aggregation

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