集成微纳电子学团队
- 博客标题:
- 集成微纳电子学团队
- 摘要:
- 集成微纳电子学团队聚焦高性能光电探测芯片及先进封装技术、模拟集成电路设计、高性能基带IP和AI芯片架构设计等集成电路核心方向。
- 内容:
团队成员:李虎(教授)、谢爽(研究员)、刘江伟(副教授)、范继辉(讲师)、朱庚昌(讲师)、博士后及硕博生三十余人。
研究方向一:高性能光电探测芯片及先进封装技术
高性能光电探测芯片方向:团队研发了新一代高性能异质结型光电探测芯片,包含硅基近红外探测芯片、硅基短波红外探测芯片、锗基热稳定性短波红外探测芯片、宽光谱光电探测芯片等。新一代红外探测芯片的响应度、比探测率、外量子效率等核心指标达到国际最高水平,实现了对于传统红外芯片的全面超越,相关成果发表在Appl.Phys.Rev.、Nat.Commun.、Nano Lett.等国际电子领域顶级期刊。
先进封装工艺及材料方向:团队与企业联合开发了光电隔离器封装、超薄IC芯片封装等多种先进芯片封装技术和高热导率石墨烯散热薄膜、高热导率芯片TIM等封装材料,以及具备完全自主知识产权智能AOI检测以及高可靠性芯片测试系列设备,目前已授权专利和软著二十余项,技术水平达到国际领先水平并创造了显著的经济效益。
研究方向二:模拟集成电路设计
团队核心方向包括 SAR ADC、Pipeline ADC、Delta-Sigma ADC、运算放大器(Op-Amp)及温度传感器设计,同时深耕高速/低噪声 CMOS 图像传感器等相关领域。团队拥有十余年电路设计经验,成功完成 55nm/65nm/130nm/180nm 多节点流片项目。目前研究包括高精度和高速ADC,如基于 EF-CIFF 结构的14位高精度三阶噪声整形SAR ADC(55nm工艺下SNDR达84dB以上)、噪声整形流水线Pipeline SAR ADC(55nm工艺下SNDR达72dB以上),研发的世界首款像素级MOS温度传感器在0-100℃范围内测量精度优于±0.3℃,填补行业空白,相关低噪声图像传感器关键参数达同期行业领先水平。
研究方向三:高性能基带IP和AI芯片架构设计
通信基带方向:完成PLC(G.hn/HomePlug AV)与Wi‑Fi(IEEE 802.11a/g/n/ac/ax/be)数字基带IP工程化,覆盖同步、信道估计/均衡、调制/解调、交织/解交织、信道编解码、帧装配/解析;基于FPGA/SoC构建802.11物理层平台,打通RF前端(ADC/DAC、DDC/DUC、AGC)—PHY—MAC/控制全链路以及RTL实现,形成可复用参数化PHY IP与参考平台。
AI与基带融合方向:研发Turbo/LDPC信道编解码IP(支持SISO、软输入软输出、可配置迭代、早期终止、速率适配),并以深度学习进行神经译码器与TurboAE等方案优化,面向AWGN衰落/PLC等信道提升BLER/FER与能效;同步推进Conv2D、MatMul、GEMM等核心算子的模型优化(Winograd/FFT/Im2col、分块/重排、结构化稀疏)与RTL实现,提供INT8/INT4/混合精度与算子融合支持,完成编译器/调度。
FPGA硬件加速器与系统工程方向:算子内核:面向CNN/RNN/Transformer的Conv2D(Winograd/FFT/Im2col)、MatMul/GEMM(脉动阵列/分块/重排)、LayerNorm/Softmax/GELU等高性能内核,支持INT8/INT4/混合精度与动态形状。面向Transformer/LLM的数据流加速器,以脉动阵列为核心,结合多PE阵列、分布式BRAM/URAM、Shift‑Register/Line Buffer、注意力/FFN共享阵列、GEMM‑Norm/注意力融合与稀疏加速实现高利用率与低延迟。
- 发布时间:
- 2025-12-16

