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Doping Characteristics and Band Engineering of InSe for Advanced Photodetectors: A DFT Study

发布时间:2025-05-27
点击次数:
所属单位:
集成电路学院
发表刊物:
NANOMATERIALS
第一作者:
张文恺
论文编号:
28B1FF1AC4CF4EF39D2FC55CF1D255B1
期号:
15
字数:
40
是否译文:
发表时间:
2025-05-10