论文成果
Three-Dimensional (3D) Nondestructive Characterization of the Spatial Distribution and Complex Properties of Polytypes on 4H-SiC Wafers
  • 所属单位:
    光学高等研究中心
  • 发表刊物:
    ACS Applied Electronic Materials
  • 第一作者:
    王猛达
  • 论文编号:
    1843556221445050369
  • 卷号:
    6
  • 期号:
    9
  • 页面范围:
    6857-6867
  • 字数:
    8
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2024-09-12

下一条:Three-Dimensional Nondestructive Characterization of Extrinsic Frank-Type Stacking Faults in 4H-SiC Crystals

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