论文成果
Growth and efficient laser emission of Er3+ doped LGGG single crystal at 2.8 μm
  • 所属单位:
    新一代半导体材料研究院
  • 发表刊物:
    Infrared Physics & Technology
  • 第一作者:
    张京坤
  • 论文编号:
    1AF686D126A84E3C806B7CAA1011D870
  • 期号:
    136
  • 字数:
    5
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2023-12-09

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