论文成果
Growth and efficient laser emission of Er3+doped LGGG single crystal at 2.8 μm
  • 所属单位:
    新一代半导体材料研究院
  • 发表刊物:
    Infrared Physics and Technology
  • 第一作者:
    张京坤
  • 论文编号:
    2A5EF613F4FA47F28A04FDE6DE3698F0
  • 期号:
    136
  • 字数:
    5
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2024-01-19

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