基于缺陷诱导的半导体表面高度有序贵金属纳米结构阵列的制备及其应用
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Title:基于缺陷诱导的半导体表面高度有序贵金属纳米结构阵列的制备及其应用
Institution:晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
Type of Patent:Invent
Application Number:2015101279327
Number of Inventors:1
Service Invention or Not:No
Application Date:2015-03-23
Publication Date:2017-01-18
Authorization Date:2017-01-18
Release Time:2019-04-15