In-plane strain states of standard and flip-chip GaN epilayers

发布时间:2019-10-24| 点击次数:

所属单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)

论文名称:In-plane strain states of standard and flip-chip GaN epilayers

发表刊物:The European Physical Journal Applied Physics

第一作者:刘铎

全部作者:刘铎

论文编号:lw-91967

卷号:54 ,

期号:10101

字数:3

是否译文:否

发表时间:2011-01

发布时间:2019-10-24