Surface plasmon enhanced photochemical etching of p-type GaP: a direct demonstration of wavelength selectivity

发布时间:2019-10-24| 点击次数:

所属单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)

论文名称:Surface plasmon enhanced photochemical etching of p-type GaP: a direct demonstration of wavelength selectivity

发表刊物:Physical chemistry chemical physics

第一作者:刘铎

全部作者:刘铎

论文编号:lw-164305

卷号:16

页面范围:20216

字数:4

是否译文:否

发表时间:2014-08

发布时间:2019-10-24