返回中文主页
论文成果
GeI2 additive for high optoelectronic quality CsPbI3 quantum dots and their application in photovoltaic devices
  • 所属单位：
    前沿交叉科学青岛研究院
  • 发表刊物：
    Chemistry of Materials
  • 第一作者：
    刘锋
  • 论文类型：
    基础研究
  • 论文编号：
    85182F9BD8C441C8BAB2A6404D0637B9
  • 卷号：
    31
  • 期号：
    3
  • 页面范围：
    798
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2019-02-12

上一条：Trioctylphosphine oxide acts as alkahest for SnX2/PbX2: A gneral synthetic route to perovskite ASnxPb1–xX3 (A = Cs, FA, MA; X = Cl, Br, I) quantum dots

下一条：Near-infrared emission from tin–lead (Sn–Pb) alloyed perovskite quantum dots by sodium doping

版权所有   ©山东大学　地址：中国山东省济南市山大南路27号　邮编：250100　
查号台：（86）-0531-88395114
值班电话：（86）-0531-88364731　建设维护：山东大学信息化工作办公室