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论文成果
GeI2 additive for high optoelectronic quality CsPbI3 quantum dots and their application in photovoltaic devices
  • 所属单位：
    前沿交叉科学青岛研究院
  • 发表刊物：
    Chemistry of Materials
  • 第一作者：
    刘锋
  • 论文编号：
    85182F9BD8C441C8BAB2A6404D0637B9
  • 卷号：
    31
  • 期号：
    3
  • 页面范围：
    798
  • 字数：
    8
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2019-02-12

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