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论文成果
High-performance and low-power source-gated transistors enabled by a solution-processed metal oxide homojunction
  • 所属单位：
    物理学院
  • 发表刊物：
    《PNAS》
  • 论文编号：
    7E346485C6704AE0B2117ABF94A68071
  • 期号：
    120
  • 字数：
    8
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2023-01-11

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