High-performance and low-power source-gated transistors enabled by a solution-processed metal oxide homojunction

发布时间：2023-05-25

• 所属单位：
  物理学院
• 发表刊物：
  《PNAS》
• 论文编号：
  7E346485C6704AE0B2117ABF94A68071
• 期号：
  120
• 字数：
  8
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2023-01