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论文成果
High Performance and Low Power Source-Gated Transistors Enabled by a Solution-Processed Metal Oxide Homojunction
  • 所属单位：
    物理学院
  • 发表刊物：
    《Proc Natl Acad Sci U S A.》
  • 第一作者：
    庄昕明
  • 论文编号：
    9FBE43051EA54322BBEE78FD371C4ECC
  • 期号：
    3
  • 字数：
    8000
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2023-01-17

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