刘风景

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论文成果

Toward High Bias-Stress Stability P-Type GaSb Nanowire Field-Effect-Transistor for Gate-Controlled Near-Infrared Photodetection and Photocommunication

• 所属单位：
  物理学院
• 发表刊物：
  Advanced functional materials
• 论文编号：
  314C533916B0444396DED0A623634621
• 期号：
  2304064
• 字数：
  4
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2023-05-25