登录
|
山东大学
|
English
刘宏
教授
所属院部：
晶体材料研究院
访问次数：
次
论文成果
返回中文主页
Effects of carbon pre-germanidation implant into Ge on the thermal stability of NiGe films
所属单位：
晶体材料研究所
发表刊物：
Microelectronic Engineering
第一作者：
刘宏
论文类型：
应用研究
论文编号：
lw-173047
是否译文：
否
发表时间：
2015-01-09
上一条：
Surface Charge Regulation of Osteogenic Differentiation of Mesenchymal Stem Cell on Polarized Ferroelectric Crystal Substrate
下一条：
Optimization of a two-step Ni(5% Pt) germanosilicidation process and the redistribution of Pt in Ni(Pt)Si1-xGex germanosilicide
版权所有 ©山东大学 地址：中国山东省济南市山大南路27号 邮编：250100
查号台：（86）-0531-88395114
值班电话：（86）-0531-88364731 建设维护：山东大学信息化工作办公室
回到顶部
