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刘宏
教授
所属院部：
晶体材料研究院
访问次数：
次
论文成果
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Stable InSe transistors with high-field effect mobility for reliable nerve signal sensing
所属单位：
海洋研究院
发表刊物：
npj 2D Materials and Applications
全部作者：
张宇,刘宏,韩琳,冯先进,
第一作者：
张宇
论文编号：
F5D34A56CA0D44EFBB3804A7F93C4249
卷号：
3
期号：
0
字数：
6000
是否译文：
否
发表时间：
2019-07-30
上一条：
A Facile and Effective Method for Patching Sulfur Vacancies of WS2 via Nitrogen Plasma Treatment
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Fabrication of a uniform Au nanodot arraymonolayer graphene hybrid structure for high performance surface enhanced raman spectroscopy
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