刘宏

教授

Piezopotential gated two-dimensional InSe field-effect transistor for designing a pressure sensor based on piezotronic effect

发布时间：2020-03-06

• 所属单位：
  海洋研究院
• 论文名称：
  Piezopotential gated two-dimensional InSe field-effect transistor for designing a pressure sensor based on piezotronic effect
• 发表刊物：
  NANO ENERGY
• 关键字：
  ZnO 纳米柱阵列，压电，InSe晶体管压力传感器
• 第一作者：
  张宇
• 全部作者：
  王建军,王书华,韩琳,刘宏,桑元华,张宇
• 论文编号：
  38BDA9BD4A75448B9AD9E108A3B18866
• 页面范围：
  104457
• 字数：
  4
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2020-01
• 发布时间：
  2020-03-06