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山东大学
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刘宏
教授
所属院部:
晶体材料研究院
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论文成果
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Piezopotential gated two-dimensional InSe field-effect transistor for designing a pressure sensor based on piezotronic effect
所属单位:
晶体材料研究院
发表刊物:
Nano Energy
第一作者:
王孚雷
论文编号:
2293F9C42D2445F3952DAA5479EBB20D
卷号:
70
字数:
5
是否译文:
否
发表时间:
2020-04-01
上一条:
Synergistic effect of endocellular calcium ion release and nanotopograpy of one-dimensional hydroxyapatite nanomaterials for accelerating neural stem cell differentiation
下一条:
Electromagnetic induction derived micro-electric potential in metal-semiconductor core-shell hybrid nanostructure enhancing charge separation for high performance photocatalysis
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