刘宏

教授

Piezopotential gated two-dimensional InSe field-effect transistor for designing a pressure sensor based on piezotronic effect

• 所属单位：
  晶体材料研究院
• 发表刊物：
  Nano Energy
• 第一作者：
  王孚雷
• 论文编号：
  2293F9C42D2445F3952DAA5479EBB20D
• 卷号：
  70
• 字数：
  5
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2020-04-01