山东大学教师主页刘鑫彤 Two-dimensional wide band-gap nitride semiconductor GaN and AlN materials: properties, fabrication and applications 中文主页

刘鑫彤

实验师

性别：女

所在单位：新一代半导体材料研究院

入职时间：2020-09-08

所属院系：科学技术研究院

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Two-dimensional wide band-gap nitride semiconductor GaN and AlN materials: properties, fabrication and applications

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所属单位：新一代半导体材料研究院

发表刊物：Journal of Materials Chemistry C

第一作者：王忠新

论文编号：F3FED4C133DB40B3836EECCB275AA9C5

期号：7

页面范围：17201

字数：8000

是否译文：否

发表时间：2021-11

发布时间：2022-05-16