Two-dimensional wide band-gap nitride semiconductor GaN and AlN materials: properties, fabrication and applications
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所属单位：新一代半导体材料研究院
发表刊物：Journal of Materials Chemistry C
第一作者：王忠新
论文编号：F3FED4C133DB40B3836EECCB275AA9C5
期号：7
页面范围：17201
字数：8000
是否译文：否
发表时间：2021-11-03
