该方向面向5G和6G通信应用,探索基于集成无源器件工艺(IPD)和CMOS工艺的氮化镓基/砷化镓基射频无源芯片的先进设计方法与制造工艺优化。
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氮化镓基/砷化镓基射频无源芯片设计与先进工艺
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