×

李阳教授

  • -博士生导师
  • -硕士生导师
  • -入职时间：2020-08
  • -所在单位：新一代半导体材料研究院
  • -学历：博士研究生毕业
  • -性别：女
  • -学位：工学博士学位
  • -职称：教授
  • -学科：材料科学与工程
当前位置： 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果
回到首页

Growth and characterization of the β-Ga2O3 (011) plane without line-shaped defects

发布时间：2023-05-18 点击次数：

  • 所属单位：
    新一代半导体材料研究院
  • 论文名称：
    Growth and characterization of the β-Ga2O3 (011) plane without line-shaped defects
  • 发表刊物：
    CRYSTENGCOMM
  • 第一作者：
    陈伯阳
  • 论文编号：
    CBDF2C5247024888BA6BB911AD10A4DB
  • 期号：
    25
  • 字数：
    5
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2023-02
  • 发布时间：
    2023-05-18

上一条：Rapid epitaxy of 2-inch and high-quality α-Ga2O3 films by Mist-CVD method

下一条：Down-conversion Luminescence Performance of Dy3+ Doped Lu2O3 and Y2O3 Single Crystal Fibers for Temperature Sensing Dy3+掺杂Lu2O3 和Y2O3 单晶光纤下转换荧光测温性能

版权所有   ©山东大学　地址：中国山东省济南市山大南路27号　邮编：250100　
查号台：（86）-0531-88395114
值班电话：（86）-0531-88364731　建设维护：山东大学信息化工作办公室