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论文成果

Crystal growth and design of Sn-doped β-Ga2O3: Morphology, defect and property studies of cylindrical crystal by EFG？method

发布时间：2023-10-30 点击次数：

  • 所属单位：
    新一代半导体材料研究院
  • 论文名称：
    Crystal growth and design of Sn-doped β-Ga2O3: Morphology, defect and property studies of cylindrical crystal by EFG？method
  • 发表刊物：
    CrystEngComm
  • 第一作者：
    付博
  • 论文编号：
    766AF9282F384820996C8A3EE9BD2FF4
  • 期号：
    23
  • 页面范围：
    8360
  • 字数：
    6
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2021-10
  • 发布时间：
    2023-10-30

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