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论文成果

Growth and characterization of the β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> (011) plane without line-shaped defects

发布时间：2024-10-15 点击次数：

  • 所属单位：
    晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
  • 论文名称：
    Growth and characterization of the β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> (011) plane without line-shaped defects
  • 发表刊物：
    CRYSTENGCOMM
  • 第一作者：
    Chen, Boyang
  • 论文编号：
    F4E5D751A519435F9C5258F2A44C5903
  • 卷号：
    25
  • 期号：
    16
  • 页面范围：
    2404
  • 字数：
    5000
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2023-04
  • 发布时间：
    2024-10-15

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