Ti-Doped beta-Ga2O3: A Promising Material for Ultrafast and Tunable Lasers
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所属单位：晶体材料研究所
发表刊物：Crystal growth & Design
全部作者：陶绪堂,贾志泰,尹延如,胡强强,李阳,张健
第一作者：穆文祥
论文类型：基础研究
论文编号：47CBE721CDF2490E80EB5FC3CDF27DAF
卷号：18
期号：5
页面范围：3037
是否译文：否
发表时间：2018-05-01
发表时间：2018-05-01