Annealing effect and photoluminescence properties in Tm+- implanted ZnO crystal
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所属单位：信息科学与工程学院
发表刊物：Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B
关键字：Annealing;Crystals;II-VI semiconductors;Ions;Oxide minerals;Photoluminescence;Thulium;Zinc oxide
第一作者：Ming, Xianbing
论文编号：1395296444402896898
卷号：274
页面范围：172-176
字数：5000
是否译文：否
发表时间：2012-01-01