Impact of active layer thickness of nitrogen-doped In-Sn-Zn-O films on materials and thin film transistor performances, Zhi-Yue Li , Hao-Zhi Yang, Sheng-Chi Chen, Ying-Bo Lu , Yan-Qing Xin, Tian-Lin Yang and Hui Sun, J. Phys. D: Appl. Phys. 51 (2018) 175101

发布时间：2025-06-15

• 发表刊物：
  J. Phys. D: Appl. Phys.
• 备注：
  作者：Zhi-Yue Li , Hao-Zhi Yang, Sheng-Chi Chen, Ying-Bo Lu , Yan-Qing Xin, Tian-Lin Yang and Hui Sun
• 论文类型：
  期刊论文
• 卷号：
  51
• 页面范围：
  175101
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2018-04
• 收录刊物：
  SCI