论文成果
Impact of active layer thickness of nitrogen-doped In-Sn-Zn-O films on materials and thin film transistor performances, Zhi-Yue Li , Hao-Zhi Yang, Sheng-Chi Chen, Ying-Bo Lu , Yan-Qing Xin, Tian-Lin Yang and Hui Sun, J. Phys. D: Appl. Phys. 51 (2018) 175101
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发表刊物：
J. Phys. D: Appl. Phys.
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备注：
作者：Zhi-Yue Li , Hao-Zhi Yang, Sheng-Chi Chen, Ying-Bo Lu , Yan-Qing Xin, Tian-Lin Yang and Hui Sun
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论文类型：
期刊论文
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卷号：
51
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页面范围：
175101
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是否译文：
否
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发表时间：
2018-04-01
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收录刊物：
SCI
上一条：High transmittance in IR region of conductive ITO/AZO multilayers deposited by RF magnetron sputtering, Kun-Lun Wang, Yan-Qing Xin, Ji-Feng Zhao, Shu-Mei Song, Sheng-Chi Chen, Ying-Bo Lu, Hui Sun*, Ceramics International, 44 (2018), 6769-6774
下一条：氮掺铟锡锌薄膜晶体管的制备及其光电特性, 李治玥，吕英波，赵继凤，宋淑梅，杨波波，辛艳青，王昆仑，杨田林, 发光学报, 2017, 38(12), 1622-1628
