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Anodic etching of GaN based film with a strong phase-separated InGaN/GaN layer: Mechanism and properties

发布时间:2019-04-14
点击次数:
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Applied surface science
全部作者:
刘建强,马瑾
第一作者:
肖洪地
论文类型:
应用研究
论文编号:
lw-185722
卷号:
387
页面范围:
406
是否译文:
发表时间:
2016-07-13