Preparation and characterization of Ga2xIn2(1-x)O3 films deposited on ZrO2 (100) substrates by MOCVD
发布时间：2019-10-24
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- 所属单位：
- 物理学院
- 发表刊物：
- JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
- 全部作者：
- 马瑾
- 第一作者：
- 马瑾
- 论文编号：
- lw-98267
- 卷号：
- 499
- 期号：
- 1
- 页面范围：
- 75
- 字数：
- 2300
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2010-06-04