Epitaxial growth and properties of Nb-doped anatase TiO2 films on LSAT by MOCVD
发布时间：2019-10-24
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- 所属单位：
- 微电子学院
- 发表刊物：
- JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
- 全部作者：
- 冯先进,马瑾
- 第一作者：
- 王伟广
- 论文类型：
- 基础研究
- 论文编号：
- DFEA50F2EF404DCCA69F082B8E9E7559
- 卷号：
- 729
- 页面范围：
- 38
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2017-12-30