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Epitaxial growth of SnO2 films on 6H-SiC (0 0 0 1) by MOCVD
发布时间:2020-05-30
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Materials Research Bulletin
第一作者:
马瑾
论文编号:
lw-102410
卷号:
47
期号:
2
页面范围:
253
字数:
3
是否译文:
否
发表时间:
2012-01-10
上一条:
Effect of Ta doping on the properties of beta-Ga2O3 heteroepitaxial films prepared on KTaO3(100) substrates
下一条:
Structural and optical properties of heteroepitaxial beta Ga2O3 films grown on MgO (100) substrates