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Preparation and properties of heteroepitaxial beta-Ga2O3 films on KTaO3 (100) substrates by MOCVD

发布时间:2021-06-02
点击次数:
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
MATERIALS CHARACTERIZATION Journal
第一作者:
王迪
论文类型:
应用研究
论文编号:
3B08BF7E953F4E09831216E84A5AC61A
卷号:
165
是否译文:
发表时间:
2020-07-01